JANTXV1N4956US متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JANTXV1N4956US، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JANTXV1N4956US عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JANTXV1N4956US مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JANTXV1N4956US
- رقم القطعة:
- JANTXV1N4956US
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE ZENER 8.2V 5W D5B
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 34738 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JANTXV1N4956US.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العزلة: | 1.5 Ohm |
| الجهد - انهيار: | D-5B |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/356 |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| السلطة - ماكس: | 5W |
| الاستقطاب: | E-MELF |
| اسماء اخرى: | 1086-2739 1086-2739-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | JANTXV1N4956US |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 8.2V |
| وصف موسع: | Zener Diode 5W ±5% Surface Mount D-5B |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±5% |
| تكوين الصمام الثنائي: | 50µA @ 6.2V |
| وصف: | DIODE ZENER 8.2V 5W D5B |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.5V @ 1A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANTXV1N4956US
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N4961US | Microsemi | DIODE ZENER 13V 5W D5B | تحقيق |
|
JANTXV1N4957US | Microsemi | DIODE ZENER 9.1V 5W D5B | تحقيق |
 |
JANTXV1N4960 | Microsemi | DIODE ZENER 12V 5W AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N4955 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 7.5V 5W AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N4957 | Microsemi | DIODE ZENER 9.1V 5W AXIAL | تحقيق |
 |
JANTXV1N4946 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N4955US | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 7.5V 5W D5B | تحقيق |
|
JANTXV1N4944 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N4959US | Microsemi | DIODE ZENER 11V 5W D5B | تحقيق |
|
JANTXV1N4958US | Microsemi | DIODE ZENER 10V 5W D5B | تحقيق |
|
JANTXV1N4942 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N4961 | Microsemi | DIODE ZENER 13V 5W AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N4954CUS | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 5W D5B | تحقيق |
|
JANTXV1N4958 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 10V 5W AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N4954DUS | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 5W D5B | تحقيق |
|
JANTXV1N4954US | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.8V 5W D5B | تحقيق |
|
JANTXV1N4959 | Microsemi | DIODE ZENER 11V 5W AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N4956 | Microsemi | DIODE ZENER 8.2V 5W AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N4954 | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 5W AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N4960US | Microsemi | DIODE ZENER 12V 5W D5B | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار