JAN1N751D-1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN1N751D-1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN1N751D-1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN1N751D-1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN1N751D-1
- رقم القطعة:
- JAN1N751D-1
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 40119 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN1N751D-1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العزلة: | 17 Ohm |
| الجهد - انهيار: | DO-35 |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/127 |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| السلطة - ماكس: | 500mW |
| الاستقطاب: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| اسماء اخرى: | 1086-20146 1086-20146-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | JAN1N751D-1 |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 5.1V |
| وصف موسع: | Zener Diode 500mW ±1% Through Hole DO-35 |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±1% |
| تكوين الصمام الثنائي: | 5µA @ 2V |
| وصف: | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.1V @ 200mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N751D-1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N753AUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | تحقيق |
 |
JAN1N750C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N752D-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N753A-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | تحقيق |
 |
JAN1N750A-1 | Microsemi | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N752A-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N752AUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N750D-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N751AUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N752CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N750CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N751CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N750AUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N750DUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N752C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N751DUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N753C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N751C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N751A-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N752DUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO213AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار