JAN1N3890 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN1N3890، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN1N3890 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN1N3890 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN1N3890
- رقم القطعة:
- JAN1N3890
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 46020 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN1N3890.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 12A |
| الجهد - انهيار: | DO-203AA (DO-4) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/304 |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| اسماء اخرى: | 1086-15702 1086-15702-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 200ns |
| تصاعد نوع: | Stud Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | JAN1N3890 |
| وصف موسع: | Diode Standard 100V 12A Stud Mount DO-203AA (DO-4) |
| تكوين الصمام الثنائي: | 10µA @ 100V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.5V @ 38A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 100V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N3890
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N3957 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N3827AUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 1W DO213AB | تحقيق |
 |
JAN1N3910 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 50A DO5 | تحقيق |
|
JAN1N3828DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 1W DO213AB | تحقيق |
 |
JAN1N3828D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 1W DO41 | تحقيق |
 |
JAN1N4099UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4099DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V DO213AA | تحقيق |
 |
JAN1N4099D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4099C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V DO35 | تحقيق |
|
JAN1N3827D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 1W DO41 | تحقيق |
|
JAN1N3827CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 1W DO213AB | تحقيق |
|
JAN1N3828CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 1W DO213AB | تحقيق |
|
JAN1N3828AUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 1W DO213AB | تحقيق |
|
JAN1N3909R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 50A DO203AB | تحقيق |
|
JAN1N4100-1 | Microsemi | DIODE ZENER 7.5V DO35 | تحقيق |
|
JAN1N3827C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 1W DO41 | تحقيق |
|
JAN1N4099CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N3828C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 1W DO41 | تحقيق |
|
JAN1N4099-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V DO35 | تحقيق |
|
JAN1N3827DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 1W DO213AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار