HFA16TB120STRL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل HFA16TB120STRL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل HFA16TB120STRL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء HFA16TB120STRL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
HFA16TB120STRL
- رقم القطعة:
- HFA16TB120STRL
- الصانع:
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 30257 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- HFA16TB120STRL.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 16A |
| الجهد - انهيار: | D2PAK |
| سلسلة: | HEXFRED® |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | VS-HFA16TB120STRL VS-HFA16TB120STRL-ND VSHFA16TB120STRL VSHFA16TB120STRL-ND |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 135ns |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | HFA16TB120STRL |
| وصف موسع: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 16A Surface Mount D2PAK |
| تكوين الصمام الثنائي: | 20µA @ 1200V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 3V @ 16A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 1200V (1.2kV) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHFA16TB120STRL
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة