GRT31CR60J226ME01L متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل GRT31CR60J226ME01L، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل GRT31CR60J226ME01L عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء GRT31CR60J226ME01L مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
GRT31CR60J226ME01L
- رقم القطعة:
- GRT31CR60J226ME01L
- الصانع:
- Murata Electronics
- وصف:
- CAP CER 22UF 6.3V X5R 1206
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26855 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- GRT31CR60J226ME01L.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 6.3V |
| تسامح: | 22µF |
| سمك (ماكس): | X5R |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| سلسلة: | GRT |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| تموج الحالي - التردد المنخفض: | Automotive |
| تصنيفات: | AEC-Q200 |
| الاستقطاب: | 1206 (3216 Metric) |
| اسماء اخرى: | 490-12431-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount, MLCC |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 17 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | GRT31CR60J226ME01L |
| قيادي نمط: | 0.071" (1.80mm) |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| الميزات: | - |
| معدل الفشل: | - |
| وصف موسع: | 22µF ±20% 6.3V Ceramic Capacitor X5R 1206 (3216 Metric) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±20% |
| وصف: | CAP CER 22UF 6.3V X5R 1206 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لGRT31CR60J226ME01L
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار