GRM21B7U1H393JA01L متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل GRM21B7U1H393JA01L، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل GRM21B7U1H393JA01L عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء GRM21B7U1H393JA01L مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
GRM21B7U1H393JA01L
- رقم القطعة:
- GRM21B7U1H393JA01L
- الصانع:
- Murata Electronics
- وصف:
- CAP CER 0.039UF 50V U2J 0805
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48259 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.GRM21B7U1H393JA01L.pdf2.GRM21B7U1H393JA01L.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 50V |
| تسامح: | 0.039µF |
| سمك (ماكس): | U2J |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| سلسلة: | GRM |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| تموج الحالي - التردد المنخفض: | General Purpose |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | 0805 (2012 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount, MLCC |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | GRM21B7U1H393JA01L |
| قيادي نمط: | 0.053" (1.35mm) |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| الميزات: | - |
| معدل الفشل: | - |
| وصف موسع: | 0.039µF ±5% 50V Ceramic Capacitor U2J 0805 (2012 Metric) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±5% |
| وصف: | CAP CER 0.039UF 50V U2J 0805 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لGRM21B7U1H393JA01L
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل