GDP15S120A متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل GDP15S120A، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل GDP15S120A عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء GDP15S120A مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
GDP15S120A
- رقم القطعة:
- GDP15S120A
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220-2
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 56339 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- GDP15S120A.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Silicon Carbide Schottky |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 15A (DC) |
| الجهد - انهيار: | TO-220-2 |
| سلسلة: | Amp+™ |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | 895pF @ 1V, 1MHz |
| الاستقطاب: | TO-220-2 |
| اسماء اخرى: | 1560-1019-5 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 0ns |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | GDP15S120A |
| وصف موسع: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 15A (DC) Through Hole TO-220-2 |
| تكوين الصمام الثنائي: | 100µA @ 1200V |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220-2 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.7V @ 15A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 1200V (1.2kV) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -55°C ~ 135°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لGDP15S120A
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM