DSI30-12AS متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DSI30-12AS، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DSI30-12AS عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DSI30-12AS مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DSI30-12AS
- رقم القطعة:
- DSI30-12AS
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 54449 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DSI30-12AS.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 30A |
| الجهد - انهيار: | TO-263AB (D²PAK) |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | 10pF @ 400V, 1MHz |
| الاستقطاب: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | DSI30-12ASTR DSI3012AS |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DSI30-12AS |
| وصف موسع: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 30A Surface Mount TO-263AB (D²PAK) |
| تكوين الصمام الثنائي: | 40µA @ 1200V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.29V @ 30A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 1200V (1.2kV) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -40°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSI30-12AS
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DSI2X55-16A | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.6KV 56A SOT227B | تحقيق |
 |
DSI30-16AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | تحقيق |
|
DSI30-16AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | تحقيق |
|
DSI30-08AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 | تحقيق |
 |
DSI30-12AC | IXYS | DIODE GEN 1.2KV 30A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
DSI45-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 45A TO247AD | تحقيق |
|
DSI2X55-12A | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 56A SOT227B | تحقيق |
|
DSI45-08A | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 45A TO247AD | تحقيق |
|
DSI30-12AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 | تحقيق |
|
DSI30-16AS-TUBE | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | تحقيق |
 |
DSI30-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC | تحقيق |
|
DSI30-08A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 800V 30A TO220AC | تحقيق |
|
DSI35-08A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 800V 49A DO203AB | تحقيق |
|
DSI30-08AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 | تحقيق |
|
DSI30-08AC | IXYS Corporation | DIODE GP 800V 30A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
DSI17-12A | IXYS Corporation | DIODE AVALANCHE 1.2KV 25A DO203 | تحقيق |
|
DSI17-08A | IXYS | DIODE AVALANCHE 800V 25A DO203AA | تحقيق |
|
DSI30-16A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO220AC | تحقيق |
|
DSI45-16A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 45A TO247AD | تحقيق |
|
DSI35-12A | IXYS Corporation | DIODE AVALANCHE 1.2KV 49A DO203 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS