DR124-R47-R متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DR124-R47-R، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DR124-R47-R عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DR124-R47-R مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DR124-R47-R
- رقم القطعة:
- DR124-R47-R
- الصانع:
- Bussmann (Eaton)
- وصف:
- FIXED IND 470NH 16A 2.7 MOHM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 33497 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DR124-R47-R.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | DR124 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 470nH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.177" (4.50mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 470nH Shielded Wirewound Inductor 16A 2.7 mOhm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 2.7 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 16A |
| الحالي - التشبع: | 24.4A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDR124-R47-R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DR124-560-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 56UH 2A 173.2 MOHM SMD | تحقيق |
 |
DR125-150-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 15UH 4.27A 29.8 MOHM | تحقيق |
|
DR124-681-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 680UH 560MA 2.215 OHM | تحقيق |
|
DR125-220-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 22UH 3.7A 39.6 MOHM | تحقيق |
|
DR125-180-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 18UH 3.81A 37.7 MOHM | تحقيق |
|
DR125-101-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 100UH 1.78A 170 MOHM | تحقيق |
|
DR125-100-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 10UH 5.35A 18.9 MOHM | تحقيق |
|
DR124-820-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 82UH 1.7A 255.3 MOHM | تحقيق |
|
DR124-6R8-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 6.8UH 5.6A 21.7 MOHM | تحقيق |
 |
DR124-4R7-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 4.7UH 6.5A 16.2 MOHM | تحقيق |
|
DR124-680-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 68UH 1.8A 220 MOHM SMD | تحقيق |
|
DR125-124-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 120MH 60MA 150 OHM SMD | تحقيق |
|
DR125-102-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1MH 570MA 1.69 OHM SMD | تحقيق |
|
DR125-1R5-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1.5UH 13.8A 2.9 MOHM | تحقيق |
|
DR125-151-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 150UH 1.48A 248 MOHM | تحقيق |
|
DR125-1R0-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1UH 15A 2.4 MOHM SMD | تحقيق |
 |
DR124-470-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 47UH 2.2A 149.6 MOHM | تحقيق |
|
DR124-8R2-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 8.2UH 5.2A 26 MOHM SMD | تحقيق |
|
DR124-821-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 820UH 530MA 2.351 OHM | تحقيق |
|
DR124-471-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 470UH 680MA 1.491 OHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق
- تحت منفذ AI Air ، فإن عمالقة الرقائق الرئيسية "ليست قوية": تحطيم الأموال لكسر اللعبة ، رهان في معارك فريق 2025
- Toshiba تطلق SmartMCD Series Gate Driver مع متحكم مدمج
- سامسونج: واجه تحدي المنطقتين الرئيسيتين ، جمع الأموال لكسر الموقف
- مسبك الهامش الناضج يقلل من السعر مرة أخرى ، Samsung مستقلة عن ذاكرة Nvidia HBM3E