CIGT201610EH1R0MNE متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CIGT201610EH1R0MNE، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CIGT201610EH1R0MNE عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CIGT201610EH1R0MNE مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CIGT201610EH1R0MNE
- رقم القطعة:
- CIGT201610EH1R0MNE
- وصف:
- FIXED IND
- كمية المخزون:
- 20747 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CIGT201610EH1R0MNE.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - انهيار: | 0806 (2016 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.081" L x 0.063" W (2.05mm x 1.60mm) |
| سلسلة: | * |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| الاستقطاب: | 0806 (2016 Metric) |
| اسماء اخرى: | 1276-6900-2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | CIGT201610EH1R0MNE |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.039" (1.00mm) |
| وصف موسع: | Inductor 0806 (2016 Metric) |
| وصف: | FIXED IND |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCIGT201610EH1R0MNE
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS