CBL2012T2R2M متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CBL2012T2R2M، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CBL2012T2R2M عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CBL2012T2R2M مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CBL2012T2R2M
- رقم القطعة:
- CBL2012T2R2M
- الصانع:
- Taiyo Yuden
- وصف:
- FIXED IND 2.2UH 590MA 507 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 53450 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.CBL2012T2R2M.pdf2.CBL2012T2R2M.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - انهيار: | 0805 (2012 Metric) |
| استعمال: | Unshielded |
| اكتب: | Wirewound |
| حجم / البعد: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| سلسلة: | CB |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | 0805 (2012 Metric) |
| اسماء اخرى: | 587-1630-2 CBL2012T2R2M-ND LQ CB L2012T2R2M |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 5 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | CBL2012T2R2M |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.039" (1.00mm) |
| نوع الأجهزة: | 2.2µH |
| تردد - اختبار: | 80MHz |
| تردد - الذاتي الرنين: | 507 mOhm Max |
| وصف موسع: | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 590mA 507 mOhm Max 0805 (2012 Metric) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±20% |
| قطر - الكتف: | - |
| وصف: | FIXED IND 2.2UH 590MA 507 MOHM |
| وقت التأخير: | 100kHz |
| DC المقاومة (DCR): | 440mA |
| التصويت الحالي: | 590mA |
| الحالي - التشبع: | Ferrite |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCBL2012T2R2M
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل