BR24G256FJ-3AGTE2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BR24G256FJ-3AGTE2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BR24G256FJ-3AGTE2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BR24G256FJ-3AGTE2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BR24G256FJ-3AGTE2
- رقم القطعة:
- BR24G256FJ-3AGTE2
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- IC EEPROM 256KBIT 1MHZ 8SOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36539 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BR24G256FJ-3AGTE2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - انهيار: | 8-SOP-J |
| المعايير: | Non-Volatile |
| البرمجيات: | 256Kb (32K x 8) |
| قذيفة ستايل: | 1.7 V ~ 5.5 V |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 1MHz |
| الاستقطاب: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| الناتج عزل: | EEPROM |
| اسماء اخرى: | BR24G256FJ3AGTE2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 11 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BR24G256FJ-3AGTE2 |
| السطح البيني: | I²C, 2-Wire Serial |
| وصف: | IC EEPROM 256KBIT 1MHZ 8SOP |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBR24G256FJ-3AGTE2
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي