AUIRFS3206TRL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل AUIRFS3206TRL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل AUIRFS3206TRL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء AUIRFS3206TRL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
AUIRFS3206TRL
- رقم القطعة:
- AUIRFS3206TRL
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40990 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- AUIRFS3206TRL.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 6540pF @ 50V |
| الجهد - انهيار: | D2PAK |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3 mOhm @ 75A, 10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسلة: | HEXFET® |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 120A (Tc) |
| الاستقطاب: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | AUIRFS3206TRL-ND AUIRFS3206TRLTR SP001515868 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | AUIRFS3206TRL |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 170nC @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4V @ 150µA |
| FET الميزة: | N-Channel |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | - |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 60V |
| نسبة السعة: | 300W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAUIRFS3206TRL
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل