3EZ10D5G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 3EZ10D5G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 3EZ10D5G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 3EZ10D5G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
3EZ10D5G
- رقم القطعة:
- 3EZ10D5G
- وصف:
- DIODE ZENER 10V 3W DO41
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 46619 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 3EZ10D5G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العزلة: | 3.5 Ohm |
| الجهد - انهيار: | DO-41 |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| السلطة - ماكس: | 3W |
| الاستقطاب: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 200°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | 3EZ10D5G |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 10V |
| وصف موسع: | Zener Diode 3W ±5% Through Hole DO-41 |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±5% |
| تكوين الصمام الثنائي: | 3µA @ 7.6V |
| وصف: | DIODE ZENER 10V 3W DO41 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.5V @ 200mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل3EZ10D5G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
3EZ10D5/TR12 | Microsemi | DIODE ZENER 10V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ110D10E3/TR12 | Microsemi | DIODE ZENER 110V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ110D2/TR12 | Microsemi | DIODE ZENER 110V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ10D10E3/TR12 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 10V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ110D2/TR8 | Microsemi | DIODE ZENER 110V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ10D2E3/TR8 | Microsemi | DIODE ZENER 10V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ10D5E3/TR8 | Microsemi | DIODE ZENER 10V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ10DE3/TR12 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 10V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ10D5E3/TR12 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 10V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ110D10/TR8 | Microsemi | DIODE ZENER 110V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ10D10E3/TR8 | Microsemi | DIODE ZENER 10V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ110D10E3/TR8 | Microsemi | DIODE ZENER 110V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ10D2E3/TR12 | Microsemi | DIODE ZENER 10V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ10D5/TR8 | Microsemi | DIODE ZENER 10V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ10DE3/TR8 | Microsemi | DIODE ZENER 10V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ10D2/TR12 | Microsemi | DIODE ZENER 10V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ110D10/TR12 | Microsemi | DIODE ZENER 110V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ10D2/TR8 | Microsemi | DIODE ZENER 10V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ110D/TR12 | Microsemi | DIODE ZENER 110V 3W DO204AL | تحقيق |
|
3EZ110D/TR8 | Microsemi | DIODE ZENER 110V 3W DO204AL | تحقيق |
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي