2N7334 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 2N7334، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 2N7334 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 2N7334 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
2N7334
- رقم القطعة:
- 2N7334
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 49528 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 2N7334.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | - |
| الجهد - انهيار: | MO-036AB |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 700 mOhm @ 600mA, 10V |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1A |
| السلطة - ماكس: | 1.4W |
| الاستقطاب: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | 2N7334 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 60nC @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4V @ 250µA |
| FET الميزة: | 4 N-Channel |
| وصف موسع: | Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | Standard |
| وصف: | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100V |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2N7334
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
2N7228U | Microsemi | MOSFET N-CH 500V SMD1 | تحقيق |
|
2N7224U | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 34A SMD1 | تحقيق |
 |
2N720A | STMicroelectronics | TRANS NPN 80V 0.5A TO-18 | تحقيق |
 |
2N7636-GA | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 4A TO276 | تحقيق |
|
2N7236 | Microsemi | MOSFET P-CH 100V TO-254AA | تحقيق |
 |
2N720A | Microsemi | TRANS NPN 80V 0.5A TO-18 | تحقيق |
 |
2N708 | Central Semiconductor | TRANS NPN 15V TO-18 | تحقيق |
|
2N7227U | Microsemi | MOSFET N-CH 400V SMD1 | تحقيق |
|
2N7227 | Microsemi | MOSFET N-CH 400V TO-254AA | تحقيق |
|
2N7335 | Microsemi Corporation | MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB | تحقيق |
|
2N7228 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V TO-254AA | تحقيق |
|
2N7639-GA | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 15A TO-257 | تحقيق |
 |
2N7638-GA | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 8A TO276 | تحقيق |
|
2N7236U | Microsemi | MOSFET P-CH 100V SMD1 | تحقيق |
 |
2N7637-GA | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 7A TO-257 | تحقيق |
|
2N7640-GA | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 16A TO276 | تحقيق |
|
2N7635-GA | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 4A TO-257 | تحقيق |
|
2N7225U | Microsemi | MOSFET N-CH 200V SMD1 | تحقيق |
|
2N7225 | Microsemi | MOSFET N-CH 200V TO-254AA | تحقيق |
|
2N7224 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V TO-254AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار